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电子器件制造装置用高纯炭素制品-伟名石墨

电子器件制造装置用高纯炭素制品

生产以记忆芯片为代表的电子器件,要经过多种处理工艺。图所示为有关形成电子器件回路的硅片处理工序。

硅片外延处理工序。在此工序中,以硅片为基板,在其表面生成同样的硅单晶的同时,通过掺加不纯物而形成p型层或n型层。外延工艺一般以CVD(化学气相沉淀)为主流。其装置的概略如图所示。工艺流程为,用氟酸将硅片清洗,干燥后,贴置于基座上,然后加热升温,通入盐酸除去硅片表面的氧化层,生成外延层。基座要求选择具有不能伴有金属污染、耐高温及耐盐酸腐蚀、不与硅反应、没有气体发生等特性的材料。作为能满足这些要求的材

料,一般使用以高纯炭素制品为基材,通过CVD法在基材表面进行高纯SiC涂层的基座。

氧化、扩散工序。对于硅材料器件而言,这个工序是形成绝缘膜的最重要的工序。形成绝缘膜的方法有高温氧化法和CVD法。在单体处理式的等离子体CVD方法中,高纯炭素制品既是等离子体的放电电极,也是硅片的支撑板。其装置概略如图所示。这里所使用的材料,同样要求不能使用中伴有金属污染,而且需具有诱发等离子发生的导电性,以及对反应气体、电极板清洗气体的抗腐蚀性。为了解决石墨内部微量不纯物的发生问题,有时也使用在表面进行玻璃炭涂层或热分解涂层,或者浸渍的炭素制品。现在,单体式装置正在逐步减少,而代之以枚叶式装置。

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